IBM和三星聲稱他們已經(jīng)在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得了突破。在舊金山舉行的IEDM會議的第一天，這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設(shè)計。在目前的處理器和SoC中，晶體管平放在硅的表面，然后電流從一側(cè)流向另一側(cè)。相比之下，垂直傳輸場效應(yīng)晶體管(VTFET)彼此垂直放置，電流垂直流動。

根據(jù)IBM和 三星 的說法，這種設(shè)計有兩個優(yōu)點。首先，它將使他們能夠繞過許多性能限制，使摩爾定律超越IBM目前的納米片技術(shù)。更重要的是，由于更大的電流流動，這種設(shè)計導(dǎo)致了更少的能量浪費。他們估計，VTFET將使處理器的速度比使用FinFET晶體管設(shè)計的芯片快一倍，或減少85%的功率。IBM和三星聲稱，該工藝有朝一日可能允許 手機 在一次充電的情況下使用一整個星期。他們說，這也可以使某些能源密集型的任務(wù)，包括加密工作，更加省電，從而減少對環(huán)境的影響。

IBM和三星還沒有說他們計劃何時將該設(shè)計商業(yè)化。他們并不是唯一試圖超越1納米障礙的公司。今年7月， 英特爾 表示，它的目標(biāo)是在2024年之前最終完成亞微米級芯片的設(shè)計。該公司計劃利用其新的"英特爾20A"節(jié)點和RibbonFET晶體管完成這一壯舉。

在外媒報道刊出后，IBM隨后澄清，VTFET將幫助它擴展到其現(xiàn)有的芯片技術(shù)之外，而不一定精選與擴展制程到1納米以下，同時公司還指出，性能或電池壽命方面可以看到長足進(jìn)步，但如果要同時進(jìn)行則會有難度。

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