9月或者10月推出的Intel12代酷睿Alder Lake以及明年的AMDZen4處理器，將帶來(lái)對(duì)DDR5內(nèi)存的首發(fā)支持，內(nèi)存正式跨入新世代。

在HotChips 33上，三星揭曉了業(yè)內(nèi)首款單條512GB的DDR5內(nèi)存條，頻率更是高達(dá)7200MHz。

這款內(nèi)存可以說(shuō)淋漓盡致地體現(xiàn)了DDR5相較于DDR4的四大有點(diǎn)，性能提升、速度提高、容量增加以及更優(yōu)的能效。

如此高的容量，三星借助的是8堆棧DRAM，單片DRAM顆粒僅1mm高度，最終用20片做到了512GB的容量。

按照三星的說(shuō)法，新的DDR5-7200內(nèi)存條性能提升了40%、頻率是之前的2.2倍，電壓則只需原來(lái)的92%。

三星承諾年底前投入量產(chǎn)，且未來(lái)還會(huì)有TB容量的版本。

關(guān)鍵詞： 三星 內(nèi)存 頻率 DDR5內(nèi)存