繼5G、新基建后，第三代半導(dǎo)體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外，更重要是有證券研報指出，第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒，有個人投資者認為通過第三代半導(dǎo)體的發(fā)展就能解決芯片“卡脖子”是誤解，第三代半導(dǎo)體更多應(yīng)用在器件方面。對這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個股投資時，建議對該領(lǐng)域的市場空間與企業(yè)情況充分了解。

據(jù)不完全統(tǒng)計，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。截至9月18日A股收盤，第三代半導(dǎo)體指數(shù)下跌0.15%，當(dāng)日亞光科技、廣東甘化、楚江新材等領(lǐng)漲，亞光科技漲幅達到5.55%。而9月17日，第三代半導(dǎo)體指數(shù)漲幅為3.01%，當(dāng)日收盤時，易事特漲停，晶盛電機與乾照光電漲幅分別達到9.45%和8.88%。9月16日，該板塊龍頭之一的露笑科技，當(dāng)日開盤不久便漲停封板。9月17日，露笑科技股價曾一度去到9.11元。數(shù)據(jù)顯示，該股20日以來累計漲幅達到31.20%。

然而，記者留意到，露笑科技近年來的業(yè)績并不穩(wěn)定?？v觀公司三年來的財報，凈利潤方面，2017年、2019年分別是3.16億元、3461.3萬元;2018年，凈虧損達到9.73億元;2020年中報顯示，當(dāng)期凈利潤為1.51億元。

國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)迎機遇

安信證券廣州分公司投資顧問吳嘉瑋對記者表示，科技股本身波動就很大。其實，第三代半導(dǎo)體不是很新的概念或行業(yè)，它主要應(yīng)用于器件而不是我們常見芯片，對于國內(nèi)半導(dǎo)體而言，確實是個機遇。因為在兩個重要的產(chǎn)業(yè)方向，新能源汽車和5G里有很多直接應(yīng)用的場景，例如電機驅(qū)動系統(tǒng)、車載充電系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)這些，5G基站設(shè)備中的射頻開關(guān)、功率放大器、濾波器等。“如果個人投資者看好相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域市場而投資相關(guān)個股，可根據(jù)對應(yīng)的市場空間和企業(yè)情況具體分析”。

第三代半導(dǎo)體概念被熱炒，與近年的半導(dǎo)體國產(chǎn)替代話題息息相關(guān)。據(jù)了解，中芯國際創(chuàng)始人張汝京曾公開表示，第三代半導(dǎo)體方面，中國有“直道超車”的機會。

方正證券研報認為，第三代半導(dǎo)體國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商，完成國產(chǎn)替代。

華為消費者業(yè)務(wù)CEO余承東透露，現(xiàn)在我們從第二代半導(dǎo)體進入第三代半導(dǎo)體時代，希望在一個新的時代實現(xiàn)領(lǐng)先。

政策紅利+大廠入場， 第三代半導(dǎo)體受關(guān)注

早前出臺的《新時代促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》提到，集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。除國家層面，各地也有不同的集成電路產(chǎn)業(yè)支持政策落地，集成電路產(chǎn)業(yè)進入集中的政策紅利期。

專家表示，近年來，在科技強國指導(dǎo)思想和國際局勢變化的共同作用下，集成電路和軟件產(chǎn)業(yè)成為國家的重點支持領(lǐng)域。科創(chuàng)板的設(shè)立和允許未盈利企業(yè)登陸A股更是其一項重要舉措?？苿?chuàng)板推出后，許多集成電路、軟件類的優(yōu)質(zhì)企業(yè)相繼上市。上市后，這些企業(yè)不僅擴展了融資途徑，品牌影響力也隨之提升。

業(yè)內(nèi)觀點指出，目前全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大部分市場份額仍被美國、歐洲、日本等企業(yè)所占據(jù)，我國第三代半導(dǎo)體企業(yè)在產(chǎn)能規(guī)模、解決方案、市場渠道以及品牌信任度等與國際企業(yè)有較大差距，正在努力追趕。

什么是第三代半導(dǎo)體?

第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)和鍺(Ge)為代表，目前大部分半導(dǎo)體是基于硅基的。第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表，是4G時代的大部分通信設(shè)備的材料。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表，是5G時代的主要材料。第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能強、工作速度快、工作損耗低。

關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體